ปรับปรุงการใช้งาน

โมดูล IGBT (โมดูลทรานซิสเตอร์สองขั้วแบบเกทฉนวน)เป็นโมดูลอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลังไฟฟ้าที่รวมชิป IGBT หลายตัว, ไดโอดฟรีวีล (FWDs) และวงจรขับ/ป้องกันที่เกี่ยวข้อง มันถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายในการแปลงและควบคุมระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังไฟฟ้า

• ชิป IGBT: แกนหลักของโมดูล รวมความต้านทานอินพุตสูงของ MOSFET และแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมต่ำของทรานซิสเตอร์สองขั้ว ทำให้สามารถสลับด้วยความเร็วสูงและสูญเสียน้อย
• ไดโอดฟรีวีล (FWDs): เชื่อมต่อในแบบแอนติพาราเลลกับ IGBT เพื่อปล่อยพลังงานที่เก็บไว้ในโหลดอุปนัย ป้องกันแรงดันไฟฟ้าพุ่งสูงขึ้นจากการทำลายอุปกรณ์
• วงจรขับและป้องกัน: รวมฟังก์ชันต่างๆ เช่น การแยกสัญญาณ การป้องกันกระแสเกิน/แรงดันเกิน และการตรวจสอบอุณหภูมิ เพื่อให้มั่นใจถึงการทำงานของโมดูลที่เสถียร
• เทคโนโลยีการบรรจุ: ใช้ซับสเตรตเซรามิก แผ่นฐานทองแดง ฯลฯ ปรับปรุงประสิทธิภาพทางความร้อน (ความต้านทานความร้อนต่ำถึง 0.1-0.2 K/W) และเพิ่มฉนวนไฟฟ้า

• ความหนาแน่นของพลังงานสูง: การออกแบบโมดูลช่วยเพิ่มความสามารถในการจัดการพลังงานต่อหน่วยปริมาตรอย่างมาก ตัวอย่างเช่น โมดูล PrimePACK™ ของ Infineon ช่วยให้สามารถส่งออกได้หลายร้อยกิโลวัตต์ถึงเมกะวัตต์
• ความน่าเชื่อถือสูง: ผ่านการออกแบบซ้ำซ้อน การวินิจฉัยข้อผิดพลาดด้วยตนเอง และเทคโนโลยีการจัดการความร้อน โมดูลจึงมีค่าเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว (MTBF) เกินกว่า 100,000 ชั่วโมงในการใช้งานทางอุตสาหกรรม เช่น ไดรฟ์ความถี่แปรผัน
• ใช้งานง่าย: วงจรขับในตัวช่วยลดความซับซ้อนของการออกแบบระบบ ทำให้ผู้ใช้สามารถปรับใช้แอปพลิเคชันได้อย่างรวดเร็วโดยการให้สัญญาณควบคุมและพลังงานเท่านั้น

• ไดรฟ์อุตสาหกรรม: ใช้ในการควบคุมความเร็วของมอเตอร์ การควบคุมพัดลม/ปั๊ม
• การผลิตพลังงานหมุนเวียน: ในอินเวอร์เตอร์โฟโตโวลตาอิก โมดูล IGBT จะแปลง DC เป็น AC สำหรับการรวมกริด