โมดูล IGBT ZFeng

โมดูล IGBT (โมดูลทรานซิสเตอร์ไบโปลาร์ประตูแยก)เป็นโมดูลอุปกรณ์ครึ่งประสาทพลังงานที่บูรณาการชิป IGBT หลายชิป ไดโอเดสล้ออิสระ (FWDs) และวงจรขับเคลื่อน / การป้องกันที่เกี่ยวข้องมันถูกนําไปใช้อย่างแพร่หลายในระบบแปลงและควบคุมอิเล็กทรอนิกส์พลังงาน.

1ส่วนประกอบหลักและหลักการปฏิบัติงาน

• ชิป IGBT: หลักของโมดูล, รวมกันอุปสรรคการเข้าสูงของ MOSFETs และความดันต่ําในภาวะของทรานซิสเตอร์ bipolar, ทําให้สามารถเปลี่ยนความเร็วสูงและสูญเสียน้อย
• ไดโอเดสล้ออิสระ (FWDs): เชื่อมต่อกันแบบตรงกันข้ามกับ IGBTs เพื่อปล่อยพลังงานที่เก็บไว้ในภาระ inductive, ป้องกันความกระชับรัดจากการทําลายอุปกรณ์
• วงจรขับเคลื่อนและป้องกัน: มีการบูรณาการกับฟังก์ชัน เช่น การแยกสัญญาณ การป้องกันกระแสไฟฟ้าเกินความแรง และการติดตามอุณหภูมิ เพื่อให้การทํางานของโมดูลมั่นคง
• เทคโนโลยีบรรจุ: ใช้สับสราตเซรามิก, แผ่นฐานทองแดง, ฯลฯ, ปรับปรุงผลงานทางความร้อน (ความต้านทานทางความร้อนต่ําถึง 0.1 ‰ 0.2 K / W) และเพิ่มความคุ้มกันไฟฟ้า

2ข้อดีทางเทคนิค

• ความหนาแน่นของพลังงานสูง: การออกแบบแบบโมดูลเพิ่มความสามารถในการจัดการพลังงานต่อหน่วยปริมาณอย่างมาก เช่น โมดูล PrimePACK TM ของอินฟินิเออนสามารถผลิตได้หลายร้อยกิโลวัตต์ถึงเมกะวัตต์
• ความน่าเชื่อถือสูง: ผ่านการออกแบบที่เหลือใช้, การวินิจฉัยความผิดพลาดด้วยตัวเอง, และเทคโนโลยีการจัดการความร้อน, หน่วยบรรลุเวลาระหว่างความผิดพลาด (MTBF) มากกว่า 100,000 ชั่วโมงในการใช้งานในอุตสาหกรรม เช่น เครื่องขับเคลื่อนความถี่แปร.
• การใช้งานง่าย: วงจรขับเคลื่อนที่ติดตั้งทําให้การออกแบบระบบง่ายขึ้น โดยทําให้ผู้ใช้สามารถใช้งานได้อย่างรวดเร็ว โดยให้สัญญาณควบคุมและพลังงานเท่านั้น

3สถานการณ์การใช้งานทั่วไป

• เครื่องขับเคลื่อนอุตสาหกรรม: ใช้ในการควบคุมความเร็วของมอเตอร์, การกํากับแฟน / ปั๊ม
• การผลิตพลังงานจากแหล่งที่สามารถปรับปรุงได้: ในอินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าไฟฟ้า โมดูล IGBT เปลี่ยน DC เป็น AC สําหรับการบูรณาการในเครือ